先进封装技术推动Chiplet采用2.5D/3D集成的最新进展

关于先进封装技术推动Chiplet采用2.5D/3D集成的最新进展，结合行业动态和技术突破，总结如下：

一、技术突破与核心进展

1. 高密度互连与异构集成
   业界已实现基于2.5D硅中介层（如台积电CoWoS-S）和3D混合键合（Hybrid Bonding）的异构集成方案，通过硅通孔（TSV）和微凸点技术实现芯粒间的高带宽、低延迟互连，满足AI/HPC芯片的算力需求。甬矽电子开发的多芯片扇出异构封装（HDFO MCM）和2.5D Chiplet技术已进入量产阶段。

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3. 封装工艺创新

• 硅桥技术：如Intel EMIB、台积电CoWoS-L，通过嵌入式硅桥实现芯粒间局部高密度互连，降低整体封装复杂度。

• 晶圆级封装：采用扇出型封装（InFO、eWLB）减少传统基板依赖，提升集成密度和成本效率。

4. 标准化与接口技术
   芯原股份等企业已推出兼容UCIe/BoW标准的物理层接口设计，解决芯粒间互连协议统一问题，加速生态构建。

二、典型应用与商业化案例

1. AI芯片与高性能计算

• AMD EPYC处理器、NVIDIA GPU采用多芯粒MCM设计，结合台积电5nm/7nm工艺优化成本与性能。

• 甬矽电子为AI芯片提供2.5D CoWos封装方案，集成算力芯粒与高带宽存储（HBM）。

2. 汽车与数据中心
   芯原股份通过Chiplet技术开发车规级自动驾驶芯片，整合GPGPU、NPU等异构模块，支持智能驾舱和激光雷达应用。

三、产业链协同与生态发展

1. 设备与材料升级
   上海微电子交付2.5D/3D先进封装光刻机，支持HBM和AI芯片制造。日月光等封测厂扩大Hybrid Bonding产能，应对HBM供不应求趋势。

2. 跨行业合作
   国际大厂（台积电、三星）与国内企业（甬矽电子、芯原）联合开发定制化封装方案，推动Chiplet在数据中心、元宇宙等场景落地。

四、国内进展与突破

1. 政策与资本支持
   国家自然科学基金委设立专项支持Chiplet技术研发，加速国产化进程。

2. 技术商业化

• 甬矽电子建成自动化晶圆级封装产线，实现FC-BGA、2.5D Chiplet量产。

• 芯原股份完成基于Chiplet的高端AP芯片设计，采用MCM封装整合SoC与内存模块。

五、挑战与未来方向

1. 技术瓶颈
   高密度互连的热管理、信号完整性仍是难点，需开发新型散热材料和低功耗互连协议。

2. 成本与标准化
   2.5D/3D封装成本仍高于传统方案，需通过工艺优化和UCIe等标准普及降低成本。

总结：2.5D/3D集成已成为Chiplet主流方案，技术成熟度显著提升，尤其在AI芯片领域实现规模化应用。未来需进一步突破3D堆叠热效应、跨工艺节点兼容性等难题，推动Chiplet从高端向消费级市场渗透。

芯片清洗剂选择：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

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